登录新浪财经APP 搜索【信披】查看更多考评等级
炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！
中信证券研究 文|徐涛 王子源
美国商务部于2024年12月2日更新了半导体出口管制政策和实体清单，主要针对中国大陆半导体企业。本次制裁仍然是主要围绕先进制程的“小院高墙”式策略，意在卡住中国先进半导体发展进程，相关内容与此前媒体报道内容差别不大，市场已有所预期，由于相关企业已有提前准备，我们认为短期实际影响有限，长期而言则需放弃幻想，自立自强，有望进一步加速全产业链国产化进程。
▍美国更新出口管制规则并新增实体清单，瞄准中国大陆半导体领域。
2024年12月2日北京时间晚间，美国工业和安全局（BIS）发布了《出口管理条例（EAR）》的修订说明，修订半导体相关的出口管制规则，同时将 140个中国实体列入“实体清单”。核心内容包括但不限于：1）实体清单新增140家公司，并修改对部分企业（标注“脚注5” 的企业）供应含美技术外国产品的限制要求，以及从验证最终用户 （VEU） “白名单”计划中删除3家中国企业；2）针对高带宽内存（HBM）增加新的管制措施（增加新的3A090.c编码）；3）扩展了部分半导体制造设备和相关物品的管制品类，适用于外国直接产品规则。
▍针对实体清单企业和白名单的更新主要包含三部分。
1）新增140家实体清单公司，主要为国产半导体制造、设备厂商，也涉及EDA、投资公司。本次新增实体清单的公司包括半导体设备厂商北方华创、拓荆科技、盛美上海、至纯科技、中科飞测、新凯来、凯世通、华峰测控、烁科中科信、华海清科、芯源微、北京屹唐、东方晶源、上海睿励等半导体设备厂商及部分子公司；半导体制造商青岛芯恩、昇维旭、鹏新旭、武汉新芯等；EDA厂商华大九天及其子公司；半导体材料厂商南大光电及其子公司、上海新昇（沪硅产业旗下）、珠海基石、至纯精密气体等；半导体海外并购相关的建广资产、智路资本、闻泰科技（维权）等。实体清单内企业在购买美国技术含量25%以上产品时受到限制。
2）对14家实体清单中的晶圆厂及研发中心增加了“脚注5”限制，更严格限制含美技术产品的采购。BIS针对14家已经被列入实体清单或新列入的晶圆厂和研发中心增加了“脚注5”，包括福建晋华、中芯北京、中芯国际、中芯北方、鹏芯微、ICRD、中芯南方、武汉新芯、青岛芯恩、中科院微电子所、上海集成电路装备材料产业创新中心、张江实验室、北方集成电路技术创新中心、中芯国际集成电路新技术研发公司等，BIS限制采用美国技术的公司（包括美系和非美系）向这些中国公司出口任何含有美国技术的产品。此外BIS对中芯国际的许可（金麒麟分析师）批准政策也做了修订。
3）3家半导体公司被移除VEU清单。BIS将三家中国半导体公司从VEU（授权验证最终用户）“白名单”清单移除，分别为中微公司、华虹半导体和华润微，VEU公司无需从 BIS 获得出口、再出口或转让（国内）许可证，现在被移除后，购买受管制的商品、软件和/或技术均需要通过BIS审查。
▍HBM和先进DRAM的限制加码，新增限制HBM的技术参数，主流HBM产品受管制。
1）新增HBM管制物项编码：针对HBM增加了3A090.c管制物项编码，存储带宽密度超过每平方毫米2GB/s即受到管制，BIS表示当前所有量产中的HBM均受限；3A090.c主要针对独立HBM，而对于HBM与逻辑合封的产品，则主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（根据3A090.a/3A090.b）；此外，对于美国或盟友企业在中国工厂封装等情形，设置了许可例外条件，当满足HBM内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²等一系列条件时，可申请许可证例外授权，对产品去向仍有严格管控。
2）修改先进DRAM定义：在限制半导体设备时，将先进DRAM的技术标准从“18 纳米半间距或更小”修正为当 DRAM集成电路的存储单元面积小于0.0019μm²或存储密度大于 0.288Gbit/mm²时，该集成电路即符合 “先进节点集成电路 （Advanced-Node IC） ”，从而限制3D DRAM等技术，达到这一水平的国内DRAM存储厂采购含美技术设备需要许可证。
▍修订“商业管制清单CCL”，新增8类高端设备管制。
BIS在管制清单中新增8种品类（ECCN 3B001），后续此类设备的采购均需要许可要求或推定拒绝，主要包括：用于封装含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蚀设备；用于在先进集成电路的金属线之间沉积低介电材料的设备；用于先进存储器集成电路中低电阻率金属（钼和钌）的沉积设备；用于先进 DRAM中绝缘体沉积的设备；部分用先进节点钨沉积的物理沉积设备；能够用于先进节点集成电路生产的纳米压印光刻设备（套刻精度小于 1.5nm）；用于先进制程的高端单片清洗设备（如超临界清洗）；控制用于改善EUV光刻整体图形的沉积或刻蚀设备等。同时，7种商品从原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再需要许可要求或推定拒绝，原因是这些商品与制程节点无关，并已在非先进节点制造应用中得到广泛使用。
▍风险因素：
全球宏观经济低迷风险，下游需求不及预期，国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险，国产化推进不及预期，汇率大幅波动，美国制裁加剧，日荷等美国盟友收紧半导体政策等。
▍投资策略：
本次制裁内容与此前媒体报道内容差别不大，市场已有所预期，由于相关企业已有准备，已经提前进行了长期囤货和去美供应链切换，我们认为短期实际影响有限，对企业业务连续性不构成显著影响，长期而言则需放弃幻想，自立自强，有望进一步加速全产业链国产化进程。
1）半导体零部件企业国产替代进一步加速。制裁走向上游，建议关注零部件国产替代机会。
2）设备企业国产化趋势明确，当前最应关注具备先进制程、平台化、细分国产化率低的公司。
3）先进封装在AI芯片领域发挥作用增强，在2.5D/3D/HBM相关方向有持续技术迭代空间。建议关注国内布局先进封装的厂商。
4）晶圆厂作为半导体先进国产替代核心战略资产地位强化。
本文节选自中信证券研究部已于当日发布的《晨会》报告，具体分析内容（包括相关风险提示等）请详见报告。若因对报告的摘编而产生歧义，应以报告发布当日的完整内容为准。
重要声明：
本资料定位为“投资信息参考服务”，而非具体的“投资决策服务”，并不涉及对具体证券或金融工具在具体价位、具体时点、具体市场表现的判断。需特别关注的是（1）本资料的接收者应当仔细阅读所附的各项声明、信息披露事项及风险提示，关注相关的分析、预测能够成立的关键假设条件，关注投资评级和证券目标价格的预测时间周期，并准确理解投资评级的含义。（2）本资料所载的信息来源被认为是可靠的，但是中信证券不保证其准确性或完整，同时其相关的分析意见及推测可能会根据中信证券研究部后续发布的证券研究报告在不发出通知的情形下做出更改，也可能会因为使用不同的假设和标准、采用不同观点和分析方法而与中信证券其它业务部门、单位或附属机构在制作类似的其他材料时所给出的意见不同或者相反。（3）投资者在进行具体投资决策前，还须结合自身风险偏好、资金特点等具体情况并配合包括“选股”、“择时”分析在内的各种其它辅助分析手段形成自主决策。为避免对本资料所涉及的研究方法、投资评级、目标价格等内容产生理解上的歧义，进而造成投资损失，在必要时应寻求专业投资顾问的指导。（4）上述列示的风险事项并未囊括不当使用本资料所涉及的全部风险。投资者不应单纯依靠所接收的相关信息而取代自身的独立判断，须充分了解各类投资风险，自主作出投资决策并自行承担投资风险。
还没有评论，来说两句吧...